中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展|全球快播
2022-12-13 08:25:53 | 來(lái)源:云財(cái)經(jīng) |
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(資料圖片)
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》13日訊,據(jù)中國(guó)科大發(fā)布,在世界頂級(jí)的半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)論壇IEEE IEDM上,中國(guó)科大國(guó)家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測(cè)器)成功被大會(huì)接收,這也是中國(guó)科大首次以第一作者單位在IEEE IEDM上發(fā)表論文。該研究通過(guò)合理設(shè)計(jì)優(yōu)化JTE區(qū)域的電荷濃度,確保不影響二極管正向特性的同時(shí)最大化削弱肖特基邊緣電場(chǎng),從而有效提高器件的耐壓能力。